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单项选择题

多晶硅熔化后放入较多掺杂元素,拉制成晶,然后按标准厚度切片、按电阻率分级、按规定破碎、清洁处理保证纯度,制成母合金,其中最重要的是()

    A.切片
    B.电阻率分级
    C.破碎
    D.清洁处理

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  • 单项选择题
    关于工业硅的制备过程说法正确的是()

    A.工业硅含杂质多,如果要生产较高质量的硅单晶,必须进一步提纯,制得高纯多晶,才能满足生长较高质量硅单晶
    B.对于拉制品质要求不高的单晶可以用工业硅进行生产,降低拉晶成本
    C.工业硅提纯工艺中,由于硅烷热分解法具有易于提纯,反应速度快等原因,所以我国工业上制取多晶硅多采用此法
    D.工业硅中含的主要杂质有:铁、铝、钙、镁、铜、钛、锡、锌、磷、镍、硼、碳等元素,大多都是以单质和硅化物的形式存在

  • 单项选择题
    直拉法生长单晶硅的热场,各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温度梯度,说法正确的是()

    A.[111]< [110]< [100]
    B.[111]>[110]>[100]
    C.[111]=[110]=[100]
    D.三者无大小关系

  • 单项选择题
    硅单晶生长方向和热场关系正确的是()

    A.拉<100>晶向单晶的热场和拉<111>晶向单晶的热场通用,可以切换
    B.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶,一般很难拉成单晶
    C.用拉<100>晶向单晶的热场来拉<111>晶向单晶,更容易成单晶,但是缺陷较多
    D.用拉<111>晶向单晶的热场来拉<100>晶向单晶,更容易成晶,且质量更好

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