单项选择题
扩散系数描述正确的是（）
A.既可以在晶体内部进行，也可以沿自由表面、沿晶界、相界或其它界面进行。
B.表面的扩散系数最小，晶体内部的扩散系数最大，晶界的扩散系数介于二者之间
C.晶体表面和晶界扩散系数比晶体内部小
D.晶体表面及晶界原子排列的规律性较好，所以二者扩散系数与晶体内部的扩散系数基本持平
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单项选择题
多晶硅熔化后放入较多掺杂元素，拉制成晶，然后按标准厚度切片、按电阻率分级、按规定破碎、清洁处理保证纯度，制成母合金，其中最重要的是（）
A.切片
B.电阻率分级
C.破碎
D.清洁处理 -
单项选择题
关于工业硅的制备过程说法正确的是（）
A.工业硅含杂质多，如果要生产较高质量的硅单晶，必须进一步提纯，制得高纯多晶，才能满足生长较高质量硅单晶
B.对于拉制品质要求不高的单晶可以用工业硅进行生产，降低拉晶成本
C.工业硅提纯工艺中，由于硅烷热分解法具有易于提纯，反应速度快等原因，所以我国工业上制取多晶硅多采用此法
D.工业硅中含的主要杂质有：铁、铝、钙、镁、铜、钛、锡、锌、磷、镍、硼、碳等元素，大多都是以单质和硅化物的形式存在 -
单项选择题
直拉法生长单晶硅的热场，各晶向的晶体沿晶向生长所需要的纵向温度梯度，说法正确的是（）
A.[111]< [110]< [100]
B.[111]>[110]>[100]
C.[111]=[110]=[100]
D.三者无大小关系
