多项选择题
单晶中径向杂质分布描述正确的是（）
A.N型单晶的掺杂元素蒸发速度常数都较大，径向电阻率受蒸发影响较大
B.N型拉晶时的真空度、坩埚和单晶比例影响单晶径向电阻率的均匀性较大
C.P型掺杂元素的蒸发速度常数都很小，蒸发作用不显著，对径向电阻率均匀性影响很小
D.P型单晶真空度、坩埚和单晶比例影响较小，径向电阻率均匀性好
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多项选择题
拉制单晶硅时常用的掺杂元素磷、砷、锑和硼、铝、镓，关于这些杂质的有效分凝系数描述正确的是（）
A.提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.提高单晶生长速度时，K有效减小，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=k0，整个单晶都是均匀的 -
多项选择题
对有效分凝系数描述正确的是（）
A.当K0>1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.当K0< 1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=1，整个单晶都是均匀的 -
多项选择题
影响单晶杂质浓度分布情况有以下几个方面描述正确的是（）
A.拉制硅单晶时熔体中杂质进行扩散和蒸发，结晶时杂质分凝，硅熔体还受到其他杂质的污染
B.杂质的扩散速度很慢，一般可以忽略
C.杂质分凝影响较大，拉制单晶硅杂质在硅中的平衡分凝系数均小于1时，单晶中杂质比熔体中少
D.分凝出的杂质在熔体中不断积累，晶体尾部的杂质浓度也越来越高，电阻率越来越低
