多项选择题
影响熔体自然对流的因素有哪些（）
A.石英坩埚的几何形状
B.石英坩埚在加热器中的相对位置
C.熔体上部空间的状况（真空、气氛）
D.加在熔体上的电磁场，外力场（转动）
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多项选择题
单晶中径向杂质分布描述正确的是（）
A.N型单晶的掺杂元素蒸发速度常数都较大，径向电阻率受蒸发影响较大
B.N型拉晶时的真空度、坩埚和单晶比例影响单晶径向电阻率的均匀性较大
C.P型掺杂元素的蒸发速度常数都很小，蒸发作用不显著，对径向电阻率均匀性影响很小
D.P型单晶真空度、坩埚和单晶比例影响较小，径向电阻率均匀性好 -
多项选择题
拉制单晶硅时常用的掺杂元素磷、砷、锑和硼、铝、镓，关于这些杂质的有效分凝系数描述正确的是（）
A.提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.提高单晶生长速度时，K有效减小，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=k0，整个单晶都是均匀的 -
多项选择题
对有效分凝系数描述正确的是（）
A.当K0>1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.当K0< 1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=1，整个单晶都是均匀的
