多项选择题
关于位错的描述正确的是（）
A.刃型位错有确定的滑移面，在切应力的作用下，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动
B.螺位错同样可以滑移，使滑移区扩大，但螺位错没有固定的滑移面，可以在任意通过螺位错线的平面上滑移
C.刃型位错没有确定的滑移面，在切应力的作用下，可以在任意通过位错线的平面上滑移
D.螺位错有固定的滑移面，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动
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多项选择题
单晶中径向杂质分布描述正确的是（）
A.N型单晶的掺杂元素蒸发速度常数都较大，径向电阻率受蒸发影响较大
B.N型拉晶时的真空度、坩埚和单晶比例影响单晶径向电阻率的均匀性较大
C.P型掺杂元素的蒸发速度常数都很小，蒸发作用不显著，对径向电阻率均匀性影响很小
D.P型单晶真空度、坩埚和单晶比例影响较小，径向电阻率均匀性好 -
多项选择题
拉制单晶硅时常用的掺杂元素磷、砷、锑和硼、铝、镓，关于这些杂质的有效分凝系数描述正确的是（）
A.提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.提高单晶生长速度时，K有效减小，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=k0，整个单晶都是均匀的
