多项选择题
关于硅单晶生长过程中无位错单晶的生长描述正确的是（）
A.纯净的籽晶和熔硅表面是保证单晶无位错生长的基本条件
B.熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错
C.放肩、转肩、等直径生长，这些过程熔硅温度变化较大，容易产生位错
D.优良的热场是无位错单晶生长的重要条件
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多项选择题
关于位错的描述正确的是（）
A.刃型位错有确定的滑移面，在切应力的作用下，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动
B.螺位错同样可以滑移，使滑移区扩大，但螺位错没有固定的滑移面，可以在任意通过螺位错线的平面上滑移
C.刃型位错没有确定的滑移面，在切应力的作用下，可以在任意通过位错线的平面上滑移
D.螺位错有固定的滑移面，额外的原子面在滑移面上沿滑移方向推进，位错线沿滑移面移动 -
多项选择题
影响熔体自然对流的因素有哪些（）
A.石英坩埚的几何形状
B.石英坩埚在加热器中的相对位置
C.熔体上部空间的状况（真空、气氛）
D.加在熔体上的电磁场，外力场（转动） -
多项选择题
单晶中径向杂质分布描述正确的是（）
A.N型单晶的掺杂元素蒸发速度常数都较大，径向电阻率受蒸发影响较大
B.N型拉晶时的真空度、坩埚和单晶比例影响单晶径向电阻率的均匀性较大
C.P型掺杂元素的蒸发速度常数都很小，蒸发作用不显著，对径向电阻率均匀性影响很小
D.P型单晶真空度、坩埚和单晶比例影响较小，径向电阻率均匀性好
