拉制单晶硅时常用的掺杂元素磷、砷、锑和硼、铝、镓，关于这些杂质的有效分凝系数描述正确的是（）

A.当K0>1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
B.当K0< 1时，提高单晶生长速度时，K有效增大，可以使单晶的纵向电阻率均匀性变好
C.当生长速度无限大时，e-fδ/D趋于零，K有效=1，整个单晶都是均匀的
D.当生长速度为零时，K有效中的e-fδ/D项等于1，那么K有效=1，整个单晶都是均匀的

A.拉制硅单晶时熔体中杂质进行扩散和蒸发，结晶时杂质分凝，硅熔体还受到其他杂质的污染
B.杂质的扩散速度很慢，一般可以忽略
C.杂质分凝影响较大，拉制单晶硅杂质在硅中的平衡分凝系数均小于1时，单晶中杂质比熔体中少
D.分凝出的杂质在熔体中不断积累，晶体尾部的杂质浓度也越来越高，电阻率越来越低

A.用纯元素掺杂剂掺杂的量与多晶硅中的杂质沾污的量比较，可以忽略不计
B.用纯元素做掺杂剂单晶分凝效应较小，可以不考虑
C.用纯元素做掺杂剂单晶一般在气氛下生长，热发效应较小，可以不考虑
D.用纯元素掺杂剂掺杂的量与坩埚、氩气等沾污的量比较，不可忽略