多项选择题
从理论分析考虑，偏心法拉晶工艺的优势是（）
A.可以降低单晶中的氧含量
B.可降低单晶中的碳含量
C.可以提高电阻率均匀性
D.可以降低纵向电阻率的差异
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多项选择题
碳元素在硅单晶中来源主要有哪些？（）
A.多晶硅含碳量一般为1×1016个/cm3至3×1016个/cm3
B.石墨器件和保护气氛（氩气）中残留的氧在高温下进行化学反应生成一氧化碳
C.石墨器件清理不干净导致石墨微粒飘入熔硅中，由于石墨的主要成份为碳，导致晶体中碳原子增多
D.石英坩埚在高温下和石墨反应生成一氧化碳 -
多项选择题
硅单晶析出和杂质条纹描述正确的是（）
A.析出物一般是掺杂剂单质
B.同等条件下，P型掺杂的晶体比N型掺杂的晶体更容易出现析出和杂质条纹
C.同等条件下，N型掺杂的晶体比P型掺杂的晶体更容易出现析出和杂质条纹
D.掺杂量比较大的重掺杂的单晶中容易出现析出和杂质条纹 -
多项选择题
关于硅单晶生长过程中无位错单晶的生长描述正确的是（）
A.纯净的籽晶和熔硅表面是保证单晶无位错生长的基本条件
B.熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错
C.放肩、转肩、等直径生长，这些过程熔硅温度变化较大，容易产生位错
D.优良的热场是无位错单晶生长的重要条件
