多项选择题
片状单晶生长法（EFG法）描述正确的是（）
A.片状单晶生长法是近几年发展的一种单晶生长技术，拉速可达3000毫米/小时
B.用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长
C.将用石墨或者石英制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠毛细管作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出
D.用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶
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多项选择题
以下哪些是悬浮区熔法的工艺特点？（）
A.区熔法不使用坩埚，污染少
B.经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高
C.区熔单晶的含氧量和含碳量低
D.高阻硅单晶一般用此法生长 -
多项选择题
下列哪些是区熔的工艺步骤（）
A.将多晶硅棒用卡具卡住上端，下端对准籽晶
B.用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶
C.接好籽晶，自下而上使硅棒熔化和进行单晶生长
D.高频电流通过线圈与多晶硅棒耦合，产生涡流，使多晶棒部分熔化 -
多项选择题
区熔法描述正确的是（）
A.悬浮区熔法比直拉法出现晚
B.区熔法正发展成为单晶硅生产的一种重要方法
C.区熔法又叫悬浮区熔法、FZ法
D.区熔法工艺复杂，在硅单晶的生产中不常用
