多项选择题
以下哪些是悬浮区熔法的工艺特点？（）
A.区熔法不使用坩埚，污染少
B.经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高
C.区熔单晶的含氧量和含碳量低
D.高阻硅单晶一般用此法生长
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多项选择题
下列哪些是区熔的工艺步骤（）
A.将多晶硅棒用卡具卡住上端，下端对准籽晶
B.用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶
C.接好籽晶，自下而上使硅棒熔化和进行单晶生长
D.高频电流通过线圈与多晶硅棒耦合，产生涡流，使多晶棒部分熔化 -
多项选择题
区熔法描述正确的是（）
A.悬浮区熔法比直拉法出现晚
B.区熔法正发展成为单晶硅生产的一种重要方法
C.区熔法又叫悬浮区熔法、FZ法
D.区熔法工艺复杂，在硅单晶的生产中不常用 -
多项选择题
下列关于直拉法的描述正确的是（）
A.直拉法设备和工艺比较简单，容易实现自动控制
B.原料不易被污染，生产的硅单晶纯度高，晶体品质容易控制
C.生产效率高，易于制备大直径单晶
D.容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶
