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直拉单晶硅工艺学
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填空题
用作拉硅单晶原料时，N型多晶硅含磷量小于（）个原子/cm
3
，N型电阻率大于（）。
【参考答案】
1.5×10
13
；300欧姆•厘米
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填空题
生长直拉硅单晶用的多晶硅原料时，（）作发热体生长的多晶硅处理比较复杂，首先将多晶破碎，然后用砂轮将多晶硅中的钼丝和硅钼合金打磨干净，最后经清洁处理后方能用来拉制硅单晶。
填空题
生长直拉硅单晶用的多晶硅原料时，（）作发热体生长的多晶硅，必须首先用（）把钽管和钽硅合金腐蚀干净，再破碎或截段后进行清洁处理，方可作为拉制单晶硅的原料。
填空题
生长直拉硅单晶用的多晶硅原料时，（）作发热体生长的多晶硅，破碎或者截成段后，经过清洁处理就可以作为拉制硅单晶的原料。
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