欢迎来到易学考试网
易学考试官网
登录
注册
首页
卫生资格(中初级)
医学高级职称
执业医师考试
执业药师考试
医院三基考试
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
材料科学
>
直拉单晶硅工艺学
搜题找答案
填空题
用作拉硅单晶原料时，P型多晶硅含硼量小于（）个原子/cm
3
，P型电阻率大于（）。
【参考答案】
4.5×10
12
；3000欧姆•厘米
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
用作拉硅单晶原料时，N型多晶硅含磷量小于（）个原子/cm3，N型电阻率大于（）。
填空题
生长直拉硅单晶用的多晶硅原料时，（）作发热体生长的多晶硅处理比较复杂，首先将多晶破碎，然后用砂轮将多晶硅中的钼丝和硅钼合金打磨干净，最后经清洁处理后方能用来拉制硅单晶。
填空题
生长直拉硅单晶用的多晶硅原料时，（）作发热体生长的多晶硅，必须首先用（）把钽管和钽硅合金腐蚀干净，再破碎或截段后进行清洁处理，方可作为拉制单晶硅的原料。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
