单项选择题
旋涡缺陷的形成机理，有几种不同说法，描述正确的是（）
A.漩涡是空位和氧的络合物
B.氧、碳、自间隙原子或自间隙原子聚集物只能是漩涡形成的诱发因素
C.硅单晶中能否形成漩涡和它生长的历史有关
D.以上说法都不完全准确
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
硅单晶生长过程中收尾的意义是（）
A.排除位错
B.缩短位错在单晶内部的延伸
C.增加晶体长度
D.改变尾部杂质分布 -
单项选择题
扩散系数描述正确的是（）
A.既可以在晶体内部进行，也可以沿自由表面、沿晶界、相界或其它界面进行。
B.表面的扩散系数最小，晶体内部的扩散系数最大，晶界的扩散系数介于二者之间
C.晶体表面和晶界扩散系数比晶体内部小
D.晶体表面及晶界原子排列的规律性较好，所以二者扩散系数与晶体内部的扩散系数基本持平 -
单项选择题
多晶硅熔化后放入较多掺杂元素，拉制成晶，然后按标准厚度切片、按电阻率分级、按规定破碎、清洁处理保证纯度，制成母合金，其中最重要的是（）
A.切片
B.电阻率分级
C.破碎
D.清洁处理
