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多项选择题
关于硅单晶生长过程中,氧碳含量的描述正确的是()
A.单晶中氧含量自然减少,对单晶品质影响很大,所以硅单晶中氧含量越低越好
B.氧在单晶中的径向均匀性越低越好
C.硅单晶中碳含量对单晶品质有较大影响,所以碳含量越低越好
D.硅单晶中碳含量碳含量的径向均匀性越低越好 -
多项选择题
从理论分析考虑,偏心法拉晶工艺的优势是()
A.可以降低单晶中的氧含量
B.可降低单晶中的碳含量
C.可以提高电阻率均匀性
D.可以降低纵向电阻率的差异 -
多项选择题
碳元素在硅单晶中来源主要有哪些?()
A.多晶硅含碳量一般为1×1016个/cm3至3×1016个/cm3
B.石墨器件和保护气氛(氩气)中残留的氧在高温下进行化学反应生成一氧化碳
C.石墨器件清理不干净导致石墨微粒飘入熔硅中,由于石墨的主要成份为碳,导致晶体中碳原子增多
D.石英坩埚在高温下和石墨反应生成一氧化碳
