欢迎来到易学考试网 易学考试官网
全部科目 > 大学试题 > 理学 > 材料科学 > 直拉单晶硅工艺学

多项选择题

下列改变温度梯度的方法,描述正确的是()

    A.设法增大熔体和熔体上部空间温差
    B.增大熔体中心部分和周围温差
    C.向单晶炉内充氩气,改变单晶炉内气体流动路线
    D.单晶长度的增加,单晶表面增加了,散热加快了

点击查看答案&解析

相关考题

  • 多项选择题
    如何增大界面附近熔体温度梯度?()

    A.适当地提高坩埚的位置
    B.适当地降低坩埚的位置
    C.提高液面位置(多装料)
    D.降低液面位置(少装料)

  • 多项选择题
    温度梯度的大小很大程度上决定因素有哪些()

    A.加热器、坩埚、保温罩、托碗的形状
    B.加热器、坩埚、保温罩、托碗之间的相对位置
    C.加热器、坩埚、保温罩、托碗的尺寸
    D.加热器、坩埚、保温罩、托碗的材质

  • 多项选择题
    合适的热场条件描述正确的是()

    A.生长高质量单晶,一个很重要的条件就是有一个合适的热场
    B.生长系统中的温度分布(等温面的状况)对单晶的质量有决定性的影响,然而不同参数的单晶,对热场的要求也不同
    C.掺杂量小的单晶需要较大的温度梯度(特别是界面附近),而掺杂量较大的单晶采用比较小的温度梯度
    D.较好的热场,并没有严格的界限

微信小程序免费搜题
微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题