多项选择题
片状单晶生长法（EFG法）描述正确的是（）
A.片状单晶生长法是近几年发展的一种单晶生长技术，拉速可达3000毫米/小时B.用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长C.将用石墨或者石英制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠毛细管作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出D.用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶
多项选择题 以下哪些是悬浮区熔法的工艺特点？（）
多项选择题 下列哪些是区熔的工艺步骤（）
多项选择题 区熔法描述正确的是（）
