单项选择题 ‎在推导MOSFET电流方程时，假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑，MOSFET正常工作时，（）。

单项选择题 （）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。

单项选择题 理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。