多项选择题
外延法生长单晶描述正确的是()
A.生长速度快B.通过气相或者液相在衬底上生长外延层的一种方法C.可以改善单晶衬底表面性能,提高单晶电子特性D.生长速度一般很慢
多项选择题 下列哪些是片状单晶生长法的特点?()
多项选择题 片状单晶生长法(EFG法)描述正确的是()
多项选择题 以下哪些是悬浮区熔法的工艺特点?()