多项选择题
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A.表面反型电子浓度等于体内空穴浓度B.表面处费米能级与本征费米能级重合C.表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央D.表面势等于费米势的两倍
多项选择题 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
多项选择题 理想MIS结构必须满足的条件有（）
单项选择题 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。
