单项选择题
下列()不是抑制CMOS闩锁效应的方法。
A.降低少子复合寿命B.降低电源电压C.缩小器件尺寸D.减小衬底/阱的体电阻
单项选择题 开关速度最快的MOS反相器是()。
单项选择题 在推导MOSFET电流方程时,假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑,MOSFET正常工作时,()。
单项选择题 ()不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。