单项选择题
对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
A.强N型半导体B.弱N型半导体C.弱P型半导体D.本征半导体
单项选择题 B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）
单项选择题 对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
单项选择题 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
