多项选择题
外延法生长单晶描述正确的是（）
A.生长速度快
B.通过气相或者液相在衬底上生长外延层的一种方法
C.可以改善单晶衬底表面性能，提高单晶电子特性
D.生长速度一般很慢
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多项选择题
下列哪些是片状单晶生长法的特点？（）
A.省掉部分切磨抛工艺，大大提高了材料的利用率
B.熔硅依靠毛细管作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合
C.拉速可达3000毫米/小时
D.单晶表面完整，不须加工或少许加工就可制做器件 -
多项选择题
片状单晶生长法（EFG法）描述正确的是（）
A.片状单晶生长法是近几年发展的一种单晶生长技术，拉速可达3000毫米/小时
B.用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长
C.将用石墨或者石英制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠毛细管作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出
D.用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶 -
多项选择题
以下哪些是悬浮区熔法的工艺特点？（）
A.区熔法不使用坩埚，污染少
B.经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高
C.区熔单晶的含氧量和含碳量低
D.高阻硅单晶一般用此法生长
